Chipset Snapdragon 8 Elite vừa được Qualcomm giới thiệu hứa hẹn sẽ mang đến những cải tiến đáng kể không chỉ về hiệu năng mà còn cả về tuổi thọ pin cho các thiết bị Android. Với sự ra mắt của Asus ROG Phone 9, các thử nghiệm ban đầu cho thấy chip mới này có khả năng nâng cao đáng kể thời gian sử dụng pin so với các thế hệ trước. Theo một video từ YouTuber Dave2D, khi trải nghiệm Snapdragon 8 Elite qua hai thiết bị là Asus ROG Phone 9 Pro và OnePlus 13, sự khác biệt về hiệu năng rất rõ ràng. Trong khi đó, điều bất ngờ lại nằm ở khả năng tiết kiệm pin mà chipset này mang lại.
Asus ROG Phone 9 Pro được trang bị pin 5.800 mAh, chỉ lớn hơn 5.500 mAh của thế hệ trước khoảng 5.4%. Tuy nhiên, khi thực hiện bài kiểm tra pin qua phần mềm PCMark, thời gian sử dụng đã tăng từ hơn 11 giờ lên gần 14.5 giờ, tương đương với mức tăng gần 30%. Đối với OnePlus 13, với pin lớn hơn 11% so với OnePlus 12, thời gian sử dụng pin đạt gần 17.5 giờ, tăng mạnh từ 12.2 giờ, tức là mức tăng trên 42%. Đây thực sự là một sự cải thiện đáng kể mà Qualcomm đã công bố với con số tiết kiệm năng lượng khoảng 27% cho Snapdragon 8 Elite.
Mặc dù trong thử nghiệm, phiên bản OnePlus 13 được sử dụng là phiên bản Trung Quốc, song rõ ràng sự cải thiện này là không thể phủ nhận và có sự đóng góp rất lớn từ Snapdragon 8 Elite. Các thử nghiệm của Android Authority cũng ghi nhận các kết quả tương tự, cho thấy đây không đơn thuần là các con số lý thuyết mà là những cải tiến thực tế.
Tất nhiên, các bài kiểm tra hiệu suất không thể phản ánh hoàn toàn thực tế trong các tình huống sử dụng hàng ngày, nhưng với các số liệu ấn tượng như vậy, không khó để hình dung rằng những chiếc điện thoại Android được trang bị Snapdragon 8 Elite sẽ có tuổi thọ pin đáng kể hơn so với trước. OnePlus 13 và Asus ROG Phone 9 nhiều khả năng sẽ là những sản phẩm đầu tiên của Snapdragon 8 Elite có mặt trên thị trường Mỹ, trong khi đó, dòng Galaxy S25 của Samsung cũng sẽ sử dụng chip này khi ra mắt vào năm tới. Rõ ràng đây là một thông tin tích cực cho người dùng yêu thích các thiết bị Android.