Mới đây, thông tin rò rỉ cho biết rằng Galaxy S25 FE sẽ trang bị vi xử lý Dimensity 9400, đánh dấu một bước tiến lớn trong hiệu suất so với phiên bản trước đó.
Bên cạnh đó, một báo cáo từ Hàn Quốc tiết lộ rằng chiếc điện thoại này sẽ có thiết kế mỏng hơn đáng kể so với người tiền nhiệm. Theo báo cáo, Samsung đã giảm độ dày của thiết bị bằng cách sử dụng pin lớn hơn nhưng có thiết kế mỏng hơn, và họ đặt mục tiêu phát hành S25 FE với tư cách là một mẫu “siêu mỏng”.
Để đạt được điều này, Samsung sẽ cần tái thiết kế các linh kiện bên trong cho phù hợp với pin lớn hơn. Để cung cấp thêm thông tin, Galaxy S24 FE có độ dày 8mm, trọng lượng 213g và màn hình 6.7″ với tỉ lệ 19.5:9. Bên trong, nó trang bị pin 4700 mAh, tăng từ 4000 mAh của Galaxy S24. Mặc dù thị trường hiện có pin anode silicon-carbon có mật độ cao, cho khả năng thiết kế mỏng hơn so với pin graphite truyền thống, nguồn tin không đề cập đến việc sử dụng công nghệ này cho Galaxy S25 FE. Khả năng Galaxy S25 FE sẽ vẫn sử dụng màn hình 6.7″ giống như phiên bản Galaxy S24 FE. Dự kiến, điện thoại sẽ ra mắt vào nửa cuối năm tới.
Thông tin chi tiết về mẫu FE sắp tới còn hạn chế vào lúc này, nhưng chúng ta có thể tham khảo mẫu S24 FE để hình dung. Chiếc điện thoại này có thiết kế rất giống với Galaxy S24 và cũng giữ nguyên chuẩn kháng bụi và nước IP68. Về camera, mẫu FE mới nhất cũng trang bị bộ camera tương tự như phiên bản cơ bản, chỉ khác nhau một chút về độ phân giải với camera tele 3x (8MP so với 10MP). Tuy nhiên, Galaxy S24 lại mỏng hơn một chút với độ dày 7.6mm, nhẹ hơn và gọn gàng hơn. Trong khi Samsung đã tăng kích thước màn hình của dòng điện thoại FE từ 6.4″ lên 6.7″ bắt đầu từ năm nay, giảm độ dày có thể nhằm để giúp nó tương ứng với kiểu dáng của dòng flagship cơ bản.