Bộ nhớ PCM 3-bit là bộ nhớ có khả năng chứa 3 bit trong một cell và theo lý thuyết có thể nhanh gấp 70 lần bộ nhớ flash.
PCM là viết tắt của từ Phase Change Memory, PCM 3-bit để chỉ khả năng chứ 3 bit trong một cell được IBM giới thiệu hồi năm 2015 với khả năng có thể thay thế bộ nhớ flash trong tương lai nhờ tốc độ truy cập nhanh gấp 70 lần so với flash. PCM là công nghệ sử dụng chất liệu quang để lưu trạng thái của ô nhớ (cell). Chất liệu này có thể tồn tại dưới hai trạng thái (pha) là vô định hình (amorphous) và dạng tinh thể (crystalline) tùy thuộc vào trạng thái dòng điện. Khi ở dạng tinh thể thì chất liệu dẫn điện rất tốt, còn ở dạng vô định hình thì dẫn điện kém hơn. Qua đó ô nhớ có thể được đặt mức giá trị 0 và 1, tương đương với 1 bit nhớ.
Hiện tại tốc độ của bộ nhớ PCM được đánh giá là nằm giữa DRAM và bộ nhớ dạng flash. Bộ nhớ PCM nhanh hơn flash tới 70 lần, do vậy có thể đem lại hiệu năng ấn tượng hơn cho máy tính trong tương lai. Điểm đáng chú ý là nghiên cứu cho thấy bộ nhớ PCM vẫn giữ được hiệu năng sau gần một triệu lần ghi, trong khi bộ nhớ flash của một chiếc USB lưu trữ thông thường sẽ “chết” sau khoảng 3000 lần ghi.
Về nguyên tắc tốc độ của DRAM vẫn nhanh hơn PCM từ năm đến mười lần, nhưng với loại bộ nhớ ba bit mới thì giá thành của bộ nhớ PCM trong tương lai có thể xuống thấp gần tới mức giá của flash và thấp hơn nhiều so với DRAM. Một lợi thế khác của bộ nhớ PCM là nó có thể lưu dữ liệu mà không cần cấp điện liên tục như bộ nhớ DRAM.