Dựa trên những thông tin rò rỉ trước đó, thiết kế của Galaxy S25 và S25+ dường như khá tương đồng, trong khi Galaxy S25 Ultra có sự thay đổi rõ nét, khác biệt hẳn so với kiểu dáng truyền thống của dòng Galaxy Note. Ngoài ra, một số thông tin cũng đã đề cập đến việc các thông số kỹ thuật của pin sẽ không có sự thay đổi đáng kể, cùng với khả năng sử dụng công nghệ sạc không dây Qi2.

Hình ảnh rò rỉ lần này được cung cấp bởi WinFuture, cho thấy cả ba mẫu Galaxy S25 trong một case trong suốt, một loại bao đựng đơn giản nhưng giúp người dùng nhìn thấy thiết kế của điện thoại rõ hơn. Chúng ta có thể quan sát vị trí camera ở phía sau, các góc bo tròn mới trên Galaxy S25 Ultra, cùng với viền màn hình rất mỏng trên tất cả các mẫu. Dù vậy, do các thiết bị nằm trong case, có thể viền màn hình sẽ trông mỏng hơn thực tế, nhưng việc so sánh với case của năm ngoái cho thấy rõ ràng viền màn hình của năm nay mỏng hơn rất nhiều.

Màu xanh trên S25 và S25+ được cho là mang tên “Icy Blue”. Một yếu tố đáng chú ý khác là “Qi2 Case”, sở hữu một dạng nam châm được bổ sung cho thiết bị. Samsung đã xác nhận rằng hãng sẽ áp dụng công nghệ Qi2, tuy nhiên có vẻ như đây là phiên bản “Qi2 Ready” không cần nam châm bên trong máy, dựa trên thực tế rằng Samsung hiện có cả case có nam châm và không có nam châm. Báo cáo hôm nay cũng đề cập đến tốc độ sạc 25W.

Samsung đã xác nhận rằng dòng Galaxy S25 sẽ được ra mắt vào ngày 22 tháng 1 và hiện tại, người dùng đã có thể đặt trước với mức tiết kiệm lên đến 1.200 USD khi đặt hàng.

Nguồn rò rỉ đến từ một người dùng trên trang Baidu có tên “SalothSar”, người đã chia sẻ sơ đồ khối của con chip cùng với bảng thông số kỹ thuật của các công nghệ hỗ trợ. Mặc dù các chi tiết khá mang tính kỹ thuật cao, nhưng chúng ta sẽ tập trung vào những điểm nổi bật chính từ thông tin rò rỉ này.

Một điểm đáng chú ý là Snapdragon 8 Gen 4 sẽ có hai phiên bản – SM8750 và SM8750P. Phiên bản SM8750P được cho là biến thể hiệu năng, với CPU được xung nhịp cao hơn một chút. Tuy nhiên, sự khác biệt chính giữa hai phiên bản nằm ở khả năng kết nối mạng viễn thông. Bảng thông số đã tiết lộ rằng SM8750 hỗ trợ cả các băng tần 5G mmWave và sub-6GHz, trong khi SM8750P chỉ hỗ trợ Wi-Fi.

Về bộ nhớ, cả hai phiên bản đều sử dụng chuẩn RAM LPDDR5X quen thuộc. Dù có tin đồn về khả năng hỗ trợ RAM LPDDR6, nhưng thông tin rò rỉ này cho thấy chúng ta có lẽ sẽ phải chờ đến thế hệ Snapdragon 8 gen 5 để thấy được nâng cấp đó.

Tiêu chuẩn lưu trữ cũng giống như Snapdragon 8 Gen 3, đó là UFS 4.0, sử dụng hai làn từ băng thông của PCIe. Cấu hình này cho phép tốc độ đọc và ghi ấn tượng lên tới 4.500MB/s và 4.000MB/s, tương ứng.

Rò rỉ này cũng tiết lộ khả năng hiển thị của chip với GPU Adreno 830, cho phép xử lý màn hình độ phân giải vượt trội hơn 4K (3.840 x 2.560) ở tần số quét 144Hz mượt mà. Liệu các nhà sản xuất smartphone có tận dụng được khả năng này để tạo ra các màn hình có mật độ điểm ảnh cao hay không vẫn là một câu hỏi lớn.

Thú vị là, thông tin rò rỉ cho thấy các chức năng cốt lõi của Snapdragon 8 Gen 4 không có sự đổi mới đáng kể so với Snapdragon 8 Gen 3. Tuy nhiên, điểm nổi bật của SoC thế hệ này là các lõi CPU Oryon tùy chỉnh của Qualcomm. Các lõi này được thiết kế để mang lại sự cải thiện đáng kể trong hiệu suất xử lý cả lõi đơn và đa lõi. Chúng ta đã thấy một số kết quả ấn tượng từ các benchmark sớm của OnePlus 13 trên Geekbench 6.